Словарь
49 терминов. Короткие определения без воды.
A
- AC
- Переменный ток: меняет направление, в сети 50 Гц.
- ASIC
- Микросхема под конкретную задачу, изготовленная на фабрике.
B
- Back-EMF
- Обратная ЭДС от мотора или катушки при выключении.
C
- CMOS
- Технология на комплементарных парах p- и n-MOSFET.
D
- DC
- Постоянный ток: значение не меняется во времени.
- DIP
- Корпус с ножками для сквозного монтажа, удобен для макетки.
- Deep sleep
- Режим микроконтроллера с потреблением в микроамперах.
- Dropout
- Минимальная разница вход-выход для стабилизатора (LDO).
E
- ESR
- Эквивалентное последовательное сопротивление конденсатора.
F
- FPGA
- Микросхема с перестраиваемой логикой; программируется под схему.
G
- GND
- Общая точка отсчёта напряжения («земля»). Все земли схемы должны быть соединены.
L
- Level shifter
- Согласователь логических уровней 3.3 ↔ 5 В.
- Logic level
- MOSFET, полностью открывающийся от 3.3–5 В на затворе.
P
- PWM / ШИМ
- Широтно-импульсная модуляция: среднее напряжение через скважность.
- Pull-down
- Резистор, подтягивающий линию к земле.
- Pull-up
- Резистор, подтягивающий линию к питанию.
R
- Rail-to-rail
- ОУ, у которого выход доходит почти до напряжения питания.
- Rds(on)
- Сопротивление открытого канала MOSFET — определяет потери.
S
- SMD
- Компоненты для поверхностного монтажа (SOT-23, 0402 и т. д.).
V
- VCC / VDD
- Плюс питания. VCC чаще про биполярные схемы, VDD — про полевые; на практике это просто «питание».
- Vgs(th)
- Порог открытия MOSFET по напряжению затвор-исток.
W
- Watchdog
- Таймер, перезагружающий зависшее устройство.
H
- hFE
- Коэффициент усиления биполярного транзистора по току.
Ё
- Ёмкость
- Способность накапливать заряд, в фарадах (Ф).
А
- АЦП / ADC
- Преобразователь аналогового сигнала в число.
- Адрес I2C
- 7-битный идентификатор устройства на шине.
Б
- Бод (baud)
- Скорость передачи UART, бит в секунду.
Г
- Гистерезис
- Зона между порогами включения и выключения, защищает от дребезга на границе.
Д
- Дребезг
- Многократное замыкание контактов кнопки за 5–20 мс.
З
- Земляная петля
- Контур, по которому текут паразитные токи; источник помех.
И
- ИМС
- Интегральная микросхема: готовая схема в одном корпусе.
- Импеданс
- Полное сопротивление переменному току, включает активное и реактивное.
- Индуктивность
- Способность запасать энергию в магнитном поле, в генри (Гн).
К
- КЗ
- Короткое замыкание: путь с почти нулевым сопротивлением, огромный ток.
- КПД
- Доля мощности, дошедшая до нагрузки; остальное — тепло.
Л
- Литография
- Перенос рисунка на пластину светом — основной шаг производства чипов.
Н
- Насыщение
- Режим транзистора, когда он полностью открыт и почти не греется.
О
- Опорное напряжение
- Максимум шкалы АЦП; от него зависит цена деления.
- Опорный резистор
- Известное сопротивление для датчика (делитель с NTC).
- Открытый коллектор/сток
- Выход, который умеет только тянуть вниз; нужна внешняя подтяжка.
- Отсечка
- Режим транзистора, когда он полностью закрыт.
П
- Падение напряжения
- Разница напряжений на элементе при протекании тока.
Р
- Развязка (decoupling)
- Конденсатор у питания микросхемы, сглаживающий импульсные просадки.
- Разрядность
- Количество бит АЦП: 10 бит = 1024 уровня, 12 бит = 4096.
С
- Скважность
- Доля времени, когда сигнал включён (duty cycle).
- Снаббер
- RC-цепь, гасящая выбросы на индуктивной нагрузке.
Т
- Техпроцесс
- Размер элементов в нанометрах; меньше — плотнее и экономнее.
Х
- Холостой ход
- Режим без нагрузки, ток почти нулевой.
Ш
- Шунт
- Резистор малого номинала для измерения тока по падению напряжения.